买卖IC网 >> 产品目录 >> STB11NM65N MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

STB11NM65N

库存数量：可订货
制造商：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
制造商 STMicroelectronics
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 650 V
闸/源击穿电压 +/- 25 V
漏极连续电流 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.38 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 D2PAK
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 STB11NM65N
STB11NM80
STB11NM80T4
STB120N10F4
STB120N4F6
STB120N4LF6
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  • STB11NM65N 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价